Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/280313
Заглавие документа: | Electrical and optical properties of InAs/InSb/GaSb superlattices for mid-infrared applications |
Авторы: | Christol, P. Cuminal, Y. Rodriguez, J. B. Joullié, A. Kononenko, V. K. Afonenko, A. A. Ushakov, D. V. |
Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
Дата публикации: | 2006 |
Издатель: | Ioffe Institute |
Библиографическое описание источника: | Proceedings 14th Int. Symp. "Nanostructures: Physics and Technology" (St Petersburg, Russia, June 26-30, 2006), p. 176 |
Аннотация: | Electrical and optical investigations performed on type-II broken gap InAs/InSb/GaSb superlattices grown on GaSb substrate are reported. Inter-miniband transitions are identified by low temperature (80 K) spectra and photoresponse measurements on mesa pin diodes exhibited cut-off wavelength at around 6 µm whatever the temperature between 90 and 290 K. Hall measurements have been carried out on 300 periods SL grown on semi-insulating GaAs substrates. The variations versus temperature of carrier concentration and Hall mobility display a change in the type of conductivity of the SL at around 190 K. |
URI документа: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/280313 |
Финансовая поддержка: | This work is partially supported by a cooperation project CNRS/NASB 2005-06 No. 18086. The authors would like to thank S. K. Haywood, Hull University, for low temperature absorption measurements. |
Лицензия: | info:eu-repo/semantics/openAccess |
Располагается в коллекциях: | Кафедра физики и аэрокосмических технологий. Статьи |
Полный текст документа:
Файл | Описание | Размер | Формат | |
---|---|---|---|---|
55-Christol_Nano2006-_textlike.pdf | 75,38 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.