Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/280286Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Некоркин, С. М. | - |
| dc.contributor.author | Звонков, Б. Н. | - |
| dc.contributor.author | Байдусь, Н. В. | - |
| dc.contributor.author | Дикарева, Н. В. | - |
| dc.contributor.author | Вихрова, О. В. | - |
| dc.contributor.author | Афоненко, А. А. | - |
| dc.contributor.author | Ушаков, Д. В. | - |
| dc.date.accessioned | 2022-05-30T10:28:17Z | - |
| dc.date.available | 2022-05-30T10:28:17Z | - |
| dc.date.issued | 2017 | - |
| dc.identifier.citation | Физика и техника полупроводников, 2017, том 51, вып. 1, с. 75. | ru |
| dc.identifier.uri | https://elib.bsu.by/handle/123456789/280286 | - |
| dc.description.abstract | Исследованы излучательные свойства лазерных структур InGaAs/GaAs/InGaP с вытеканием излучения через подложку в зависимости от числа квантовых ям в активной области и лазерных диодов на их основе. Установлено, что наличие 6−8 квантовых ям в активной области является оптимальным с точки зрения наблюдаемых значений порогового тока и выходной оптической мощности лазеров. | ru |
| dc.description.sponsorship | Работа выполнена при поддержке стипендии президента Российской Федерации молодым ученым и аспирантам, осуществляющим перспективные научные исследования и разработки по приоритетным направлениям модернизации российской экономики № СП-109.2016.3 и частичной поддержке Министерства образования и науки России (государственное задание 3.285.2014/К). | ru |
| dc.language.iso | ru | ru |
| dc.publisher | СПб : ФТИ им. А.Ф. Иоффе | ru |
| dc.rights | info:eu-repo/semantics/openAccess | ru |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | ru |
| dc.title | Влияние ” объема“ активной среды на излучательные свойства лазерных гетероструктур с выходом излучения через подложку | ru |
| dc.title.alternative | Effect of the active region ” volume“ on radiative properties of laser heterostructures with radiation coupling-out through substrate | ru |
| dc.type | article | ru |
| dc.rights.license | CC BY 4.0 | ru |
| dc.identifier.DOI | 10.21883/FTP.2017.01.43999.8258 | - |
| dc.description.alternative | Radiative properties of InGaAs/GaAs/InGaP laser structures with radiation streaming through the substrate with different number of quantum wells in the active region and laser diodes based on them were studied. It has been established that the 6−8 quantum well in active region are optimal in terms of threshold current and the optical output power of laser diodes. | ru |
| Располагается в коллекциях: | Кафедра физики и аэрокосмических технологий. Статьи | |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 40-43999.pdf | 227,54 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.