Электрохимия материалов (Bi 2) m (Bi 2Te 3) n со сверхрешеточной структурой

Abstract

Электрохимия предоставляет эффективный способ формирования адатомных слоев металлов на халькогенидах металлов при потенциале, большем равновесного потенциала E(Me n+ /Me). Слоистая структура кристаллов халькогенида в случае теллу-рида висмута дает дополнительную возможность объединения двух адатомных слоев висмута в бислой, внедряемый в ходе электроосаждения теллурида висмута по плоскостям Ван-дер-Ваальса слоистой структуры. В статье рассмотрен разработанный с учетом этой возможности метод импульсного электросинтеза сверхрешеточных структур (Bi 2) m (Bi2Te 3) n , перспективных в качестве основы новых термоэлектрических материалов. Показаны также процессы электрохимического модифицирования этих сверхрешеточных материалов с использованием селективного анодного окисления в них бислоев висмута.