Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/271757| Заглавие документа: | Влияние плотности дефектов упаковки на люминесцентные характеристики структур оптически накачиваемых лазеров на основе Cd(Zn)Se квантовых точек, излучающих в желто-зеленой области спектра |
| Другое заглавие: | Influence of the stacking fault density on the luminescence characteristics of structures of optically pumped lasers based on Cd(Zn)Se quantum dots emitting in the yellow-green spectral region / A.G. Vainilovich, V.N. Pavlovskii, B.A. Shulenkova, E.V. Lutsenko, G.P. Yablonskii, S.V. Gronin, G.V. Klimko, S.V. Sorokin, I.V. Sedova, S.V. Ivanov |
| Авторы: | Войнилович, А. Г. Павловский, В. Н. Шуленкова, В. А. Луценко, Е. В. Яблонский, Г. П. Гронин, C. В. Климко, Г. В. Сорокин, C. В. Седова, И. В. Иванов, С. В. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика ЭБ БГУ::ТЕХНИЧЕСКИЕ И ПРИКЛАДНЫЕ НАУКИ. ОТРАСЛИ ЭКОНОМИКИ::Электроника. Радиотехника |
| Дата публикации: | 2021 |
| Издатель: | Минск : БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Квантовая электроника : материалы XIII Междунар. науч.-техн. конференции, Минск, 22–26 ноября 2021 г. / БГУ, НИИ прикладных физических проблем им. А. Н. Севченко БГУ, Ин-т физики им. Б. И. Степанова НАН Беларуси, Белорусский республиканский фонд фундаментальных исследований ; [редкол.: М. М. Кугейко (отв. ред.), А. А. Афоненко, А. В. Баркова]. – Минск : БГУ, 2021. – С. 241-244. |
| Аннотация: | При создании приборных гетероструктур полупроводниковых лазеров необходим тщательный контроль плотности структурных дефектов. В настоящей работе приведен пример выявления дефектов упаковки в структурах оптически накачиваемых лазеров на основе квантовых точек Cd(Zn)Se, излучающих в желто-зеленой области спектра с использованием люминесцентной микроскопии. Проанализированы пространственные картины фотолюминесценции поверхности гетероструктур и их спектры фотолюминесценции в зависимости от плотности дефектов упаковки в диапазоне ~10 4 –10 7 см-2. Показано, что величина отношения интенсивности полосы, связанной с глубокими уровнями, к интенсивности полосы межзонной рекомбинации R DL существенно возрастает с ростом числа дефектов упаковки, начиная со значения (2-3)‧10 5 см -2 . Установлено, что величина R DL может использоваться как интегральный показатель кристаллического качества гетероструктур с активной областью Cd(Zn)Se |
| Аннотация (на другом языке): | When creating device structures of semiconductor lasers, careful control of the structural defect density is required. In this paper, an example of the luminescence microscopy detection of stacking faults in the optically pumped Cd(Zn)Se quantum dot heterostructures emitting in the yellow-green spectral region is given. The spatial photoluminescence patterns and photoluminescence spectra are analyzed depending on the density of stacking faults in the range of ~ 10 4 –10 7 cm-2. It is shown that the ratio of the intensity of the band associated with deep levels to the intensity of near band edge emission R DL significantly increases with an increase in the number of stacking faults, starting from a value of 2-3‧10 5 cm -2 . It was found that the R DL value can be used as an integral indicator of the crystal quality of the heterostructures with a Cd(Zn)Se active region |
| URI документа: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/271757 |
| Лицензия: | info:eu-repo/semantics/openAccess |
| Номер, дата депонирования: | № 010503112021, Деп. в БГУ 03.11.2021 |
| Располагается в коллекциях: | 2021. Квантовая электроника |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 241-244.pdf | 1,36 MB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.