Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/271755Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Лобанок, М. В. | |
| dc.contributor.author | Мухаммад, А. И. | |
| dc.contributor.author | Гайдук, П. И. | |
| dc.date.accessioned | 2021-11-12T07:30:59Z | - |
| dc.date.available | 2021-11-12T07:30:59Z | - |
| dc.date.issued | 2021 | |
| dc.identifier.citation | Квантовая электроника : материалы XIII Междунар. науч.-техн. конференции, Минск, 22–26 ноября 2021 г. / БГУ, НИИ прикладных физических проблем им. А. Н. Севченко БГУ, Ин-т физики им. Б. И. Степанова НАН Беларуси, Белорусский республиканский фонд фундаментальных исследований ; [редкол.: М. М. Кугейко (отв. ред.), А. А. Афоненко, А. В. Баркова]. – Минск : БГУ, 2021. – С. 232-235. | |
| dc.identifier.uri | https://elib.bsu.by/handle/123456789/271755 | - |
| dc.description.abstract | Представлены результаты измерений спектров инфракрасной (ИК) спектроскопии и спектров комбинационного рассеяния (КР) гетероструктур SiC/Si. Наблюдаемая в спектрах структур SiC/Si полоса 798 см-1 соответствует поперечной оптической (ТО) фононной моде в решетке кубического карбида кремния. Обнаружена полоса ИК поглощения Si-O-Si 1100 см-1. Определен коэффициент пропускания | |
| dc.description.sponsorship | Исследования выполнены в рамках проекта государственной программы научных исследований «Фотоника и электроника для инноваций» (проект 3.1.2, № ГР 20212702) | |
| dc.language.iso | ru | |
| dc.publisher | Минск : БГУ | |
| dc.rights | info:eu-repo/semantics/openAccess | |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ТЕХНИЧЕСКИЕ И ПРИКЛАДНЫЕ НАУКИ. ОТРАСЛИ ЭКОНОМИКИ::Электроника. Радиотехника | |
| dc.title | Оптические характеристики гетероструктур SiC/Si, полученных методом быстрой вакуумно-термической карбидизации кремния | |
| dc.title.alternative | Optical properties of rapid vaccum-thermal carbidization SiC/Si Heterostructure / M.V. Lobanok, A.I. Mukhammad, P.I. Gaiduk | |
| dc.type | conference paper | |
| dc.identifier.deposit | № 010503112021, Деп. в БГУ 03.11.2021 | |
| dc.description.alternative | Raman scattering and FT-IR spectroscopy measurements showed a SiC/Si heterostructure. The 798 cm-1 band corresponds to the transverse optical (TO) phonon mode in the lattice of cubic silicon carbide. The Si-O-Si peak (1100 cm-1) was found in the IR absorption spectrum | |
| Располагается в коллекциях: | 2021. Квантовая электроника | |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 232-235.pdf | 980,29 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.