Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/271103| Заглавие документа: | Адгезия гамма-облученных пленок позитивного фоторезиста к монокристаллическому кремнию |
| Другое заглавие: | Adhesion of gamma-irradiated films of a positive photoresist to single crystalline silicon / S.A. Vabishchevich, N.V. Vabishchevich, D.I. Brinkevich, V.S. Prosolovich |
| Авторы: | Вабищевич, С. А. Вабищевич, Н. В. Бринкевич, Д. И. Просолович, В. С. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2021 |
| Издатель: | Минск : БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Взаимодействие излучений с твердым телом : материалы 14-й Междунар. конф., посвящ. 100-летию Белорус. гос. ун-та, Минск, Беларусь, 21-24 сент. 2021 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. В. Углов (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2021. – С. 259-263. |
| Аннотация: | В работе методом индентирования исследовано влияние γ-облучения на адгезионные свойства пленок диазохинонноволачного фоторезиста ФП9120, нанесенных на пластины монокристаллического кремния методом центрифугирования. Установлено, что γ-облучение приводит к снижению значений удельной энергия отслаивания G фоторезистивных пленок на кремнии. При этом в ИК-спектрах фоторезиста в ходе γ-облучения было отмечено уменьшение интенсивности полос колебаний, связанных с Si-O-C фрагментом, ответственным за адгезию к кремнию. Экспериментальные результаты объяснены с учетом радиационно-индуцированных и релаксационных процессов, протекающих как на границе раздела фоторезист/кремний, так и в объеме полимерной пленки |
| Аннотация (на другом языке): | The effect of γ-irradiation on the adhesion properties of diazoquinone-novolac photoresist FP9120 films, deposited on single-crystal Si wafers by centrifugation, was investigated by the indentation. It was found that γ-irradiation leads to a decrease the specific exfoliation energy of photoresist films on silicon. The effect is most pronounced for photoresist films previously implanted with P + or B + ions. The observed effect is associated with a set of radiation-chemical and relaxation processes occurring both at the photoresist/silicon interface and in the bulk of the polymer film. Crosslinking of novolac macromolecules in the volume of the polymer with a change in the density of the photoresist, relaxation of stresses in the film due to conformational rearrangements of macromolecules during γ-irradiation, as well as the accumulation of charge at the interface can lead to a decrease in adhesion. ATR IR spectrometry data indicate that a decrease in the adhesion of the photoresist to monocrystalline silicon under γ-irradiation occurs, among other things, due to the destruction of ester cross-links formed by hydroxyl groups on the surface of the oxide layer of the silicon wafer and carboxyl groups of 1-H-indene-3-carboxylic acid grafted to novolac resin |
| Доп. сведения: | Секция 3. Модификация свойств материалов = Section 3. Modification of material properties |
| URI документа: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/271103 |
| ISSN: | 2663-9939 (Print) 2706-9060 (Online) |
| Располагается в коллекциях: | 2021. Взаимодействие излучений с твердым телом |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 259-263.pdf | 336,02 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.