Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/271050| Заглавие документа: | Влияние проникающего излучения на характеристики биполярного транзистора с изолированным затвором |
| Другое заглавие: | Influence of penetrating radiation on the characteristics of a in-sulated gate bipolar transistor / I.Yu. Lovshenko, Yu.P. Snitovsky, V.R. Stempitsky |
| Авторы: | Ловшенко, И. Ю. Снитовский, Ю. П. Стемпицкий, В. Р. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2021 |
| Издатель: | Минск : БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Взаимодействие излучений с твердым телом : материалы 14-й Междунар. конф., посвящ. 100-летию Белорус. гос. ун-та, Минск, Беларусь, 21-24 сент. 2021 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. В. Углов (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2021. – С. 579-583. |
| Аннотация: | Представлены результаты моделирования эксплуатационных характеристик приборных структур биполярного транзистора с изолированным затвором (БТИЗ), сформированного в стандартном кремнии и по технологии «Кремний на изоляторе» (КНИ), с учетом воздействия потоков электронов с энергией EE = 4 МэВ, нейтронов с энергией EN = 1.5 МэВ и протонов с энергией EP = 2 МэВ. Рассмотрены особенности функционирования различных конструктивных решений БТИЗ. Определены зависимости отклонения основных параметров БТИЗ (пороговое напряжение, максимальный ток коллектора, время включения и выключения) от величины флюенса электронов, нейтронов и протонов |
| Аннотация (на другом языке): | The results of the operational characteristics of the insulated gate bipolar transistor (IGBT) device structures simulation formed using standard silicon and using the Silicon on Insulator (SOI) technology, taking into account the effect of electron fluxes with an energy of EE = 4 MeV, neutrons with energy EN = 1.5 MeV and protons with energy EP = 2 MeV was presented. The features of the functioning of various design solutions of the IGBT are considered. Dependences of the deviation of the main parameters of the IGBT (threshold voltage, maximum collector current, turn-on and turn-off times) on the fluence of electrons, neutrons and protons have been deter-mined |
| Доп. сведения: | Секция 6. Современное оборудование и технологии = Section 6. Advances in equipment and technologies |
| URI документа: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/271050 |
| ISSN: | 2663-9939 (Print) 2706-9060 (Online) |
| Финансовая поддержка: | Исследования выполняются при финансовой поддержке и в рамках решения задач государственной программы научных исследований «Фотоника и электроника для инноваций» (задание 3.04) |
| Располагается в коллекциях: | 2021. Взаимодействие излучений с твердым телом |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 579-583.pdf | 354,32 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.