Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/271043| Заглавие документа: | Исследование методом КР-спектроскопии композита на основе SiC, облученного ионами криптона и ксенона |
| Другое заглавие: | Raman-spectroscopy study of sic-based composite irradiated with crypton and xenon ions / V.V. Uglov, M.S. Gurkinov, P.S. Grinchuk, M.V. Kiyashko, S.V. Zlotsky, V.M. Kholod |
| Авторы: | Углов, В. В. Гуркинов, М. С. Гринчук, П. С. Кияшко, М. В. Злоцкий, С. В. Холод, В. М. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2021 |
| Издатель: | Минск : БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Взаимодействие излучений с твердым телом : материалы 14-й Междунар. конф., посвящ. 100-летию Белорус. гос. ун-та, Минск, Беларусь, 21-24 сент. 2021 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. В. Углов (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2021. – С. 552-556. |
| Аннотация: | Керамические образцы на основе SiC облучались при комнатной температуре ионами Kr с энергией 107 МэВ при флюенсах 1·10 12 и 1·10 13 см-2 и ионами Xe с энергией 167 МэВ при флюенсах 1·10 12, 1·10 13 и 5·10 13 см-2. Исследование фазового состава выявило, что ионное облучение при различных дозах не вызывает изменения фазового состава или образования новых политипов карбида кремния. Исследования методом спектроскопии комбинационного рассеяния света политипа 6H-SiC показали, что облучение ионами Kr и Xe приводит к деформации кристаллической структуры 6H-SiC и увеличению доли аморфной фазы. Изменения структуры и деформация кристаллической решетки политипа 6H-SiC связана с процессами аморфизации и дефектообразования в карбиде кремния при облучении быстрыми тяжелыми ионами |
| Аннотация (на другом языке): | Ceramic samples based on SiC were irradiated at room temperature with Kr ions with the energy of 107 MeV at fluences of 1·10 12 and 1·10 13 cm-2 and Xe ions with the energy of 167 MeV at fluences of 1·10 12, 1·10 13, and 5·10 13 cm-2. The phase analysis of the samples was studied on an Ultima IV X-ray diffractometer (Rigaku). A phase composition study revealed that ion irradiation at different doses does not cause phase changes or the formation of new polytypes of SiC. The structure of samples was analyzed by the method of Raman spectroscopy. Investigations of the 6H-SiC polytype showed that irradiation by Kr and Xe ions leads to the crystal structure deformation and an increase in the amorphous phase fraction. Changes in the structure and deformation of the crystal lattice of the 6H-SiC polytype are associated with the processes of amorphization and defect formation in silicon carbide upon irradiation with swift heavy ions |
| Доп. сведения: | Секция 5. Влияние излучений на структуру и свойства покрытий = Section 5. Radiation influence on coatings structure and properties |
| URI документа: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/271043 |
| ISSN: | 2663-9939 (Print) 2706-9060 (Online) |
| Располагается в коллекциях: | 2021. Взаимодействие излучений с твердым телом |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 552-556.pdf | 466,59 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.