Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/271025| Заглавие документа: | Влияние воздействия электронных пучков и гидрогенизации на оптические характеристики многослойных наноструктур CaF2/Si/CaF2/Si(111) |
| Другое заглавие: | Influence of exposure to electron beams and hydrogenation on the optical properties of multilayer CaF2/Si/CaF2/Si(111) nanostructures / A.V. Mudryi, V.D. Zhivulko, O.M. Borodavchenko, V.A. Zinovyev, A.V. Kacyuba, A.F. Zinovieva, Zh.V. Smagina, A.V. Dvurechenskii, A.Y. Krupin |
| Авторы: | Мудрый, А. В. Живулько, В. Д. Бородавченко, О. М. Зиновьев, В. А. Кацюба, А. В. Зиновьева, А. Ф. Смагина, Ж. В. Двуреченский, А. В. Крупин, А. Ю. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2021 |
| Издатель: | Минск : БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Взаимодействие излучений с твердым телом : материалы 14-й Междунар. конф., посвящ. 100-летию Белорус. гос. ун-та, Минск, Беларусь, 21-24 сент. 2021 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. В. Углов (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2021. – С. 476-480. |
| Аннотация: | Исследованы оптические характеристики структур с чередующимися нанослоями CaF2 и Si, созданными методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках Si(111). Обнаружено, что воздействие электронного пучка с энергией ~ 20 кэВ и плотностью тока 50 мкА/см2 на формирующиеся нанослои CaF2 и Si в процессе эпитаксии приводит к модификации наноструктуры CaF2/Si/CaF2/Si(111) с образованием соединения CaSi2. В спектрах комбинационного рассеяния света обнаружены узкие линии на частотах ~ 342, 385 и 413 см-1 , соответствующие колебательным модам для одной из полиморфных фаз CaSi2. Установлено, что гидрогенизация приводит к образованию дефектов структуры, обуславливающих увеличение интенсивности полосы в спектральной области ~ 0.8 эВ в низкотемпературных (~ 78 K) спектрах фотолюминесценции наноструктур CaF2/Si/CaF2/Si(111) |
| Аннотация (на другом языке): | The optical characteristics of structures with alternating CaF2 and Si nanolayers produced by molecular beam epitaxy on Si(111) substrates are studied. It was found that the action of electron beam an energy of ~ 20 keV and a current density of 50 μA/cm2 on the forming of CaF2 and Si nanolayers during epitaxy leads to the modification of CaF2/Si/CaF2/Si(111) nanostructures with the formation of CaSi2 compounds. In the Raman spectra narrow lines were found at frequencies of ~ 342, 385, and 413 cm-1 , corresponding to vibrational modes for one of the polymorphic phases CaSi2. It was found that hydrogenization leads to the formation of structural defects, causing an increase on intensity of the band in the spectral region of ~ 0.8 eV in low temperature spectra (~ 78 K) photoluminescence of CaF2/Si/CaF2/Si(111) nanostructures |
| Доп. сведения: | Секция 4. Формирование наноматериалов и наноструктур = Section 4. Formation of nanomaterials and nanostructures |
| URI документа: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/271025 |
| ISSN: | 2663-9939 (Print) 2706-9060 (Online) |
| Финансовая поддержка: | Работа выполнена по проекту БРФФИ Ф20Р-082 и РФФИ (грант № 20-52-00016) |
| Располагается в коллекциях: | 2021. Взаимодействие излучений с твердым телом |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 476-480.pdf | 363,57 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.