Logo BSU

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: http://elib.bsu.by/handle/123456789/26426
Заглавие документа: Optical Properties of Cu(In, Ga)(S, Se)2 Films for Solar Cells
Авторы: Tivanov, M. S.
Zaretskaya, E. P.
Gremenok, V. F.
Ivanov, V. A.
Mudriy, A. V.
Ivaniukovich, A. V.
Zalesskii, V. B.
Zykotinski, S.
Bente, K.
Дата публикации: 2007
Библиографическое описание источника: Moldavian Journal of the Physical Sciences, V.6, N.1 (2007) 117–122
Аннотация: In this paper, we present structural and optical properties of single-phase Cu(In, Ga)(S, Se)2 alloys, which have been prepared using a novel selenization/sulfurization growth process to react copper-indium-gallium alloy films. The grown scheme differs critically from standard two-step grown processes and was carried out without toxic H2S and H2Se gases. The calculated band gap values for layers with varying sulfur content (i.e. S/(S+Se) = 0.16 and 0.19), determined from optical transmission and reflectance measurements, were found to be 1.17 and 1.23 eV respectively. The low temperature PL measurements also confirmed the shift in the band gap of the CIGSS absorber films with sulfur incorporation. In summary, this reaction process produced single-phase CIGSS thin films with controlled sulfur amount suitable for photovoltaic application.
URI документа: http://elib.bsu.by/handle/123456789/26426
Располагается в коллекциях:Архив статей

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
Optical Properties of Cu(In,Ga)(S,Se)2 Films for Solar Cells.pdf1,06 MBAdobe PDFОткрыть


Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.