Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/261794| Заглавие документа: | Structure and hardness evolution of silicon carbide epitaxial layers irradiated with He+ ions |
| Авторы: | Pilko, V.V. Komarov, F.F. Budzynski, P. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2019 |
| Издатель: | Polish Academy of Sciences |
| Библиографическое описание источника: | Acta Phys Pol A 2019;136(2):351-355. |
| Аннотация: | In our study, the 4H polytype SiC epitaxial layers of ∼ 3 µm thickness on SiC substrates were implanted with 500 keV He+ ions fluences in the range from 5×1014 ion/cm2 to 1×1017 ion/cm2. The induced defect distributions were studied by means of the Rutherford Backscattering technique in the channeling regime (RBS/C). Structure changes were identified via characteristic phonons intensity deviations registered by the Raman Spectroscopy technique. Evolution of hardness for all irradiated samples was investigated by means of conventional Vickers measurements and dynamic nanoindentation with the Oliver–Pharr method of results processing. For all samples, the normal indentation size effect was observed. |
| URI документа: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/261794 |
| DOI документа: | 10.12693/APhysPolA.136.351 |
| Scopus идентификатор документа: | 85074481240 |
| Располагается в коллекциях: | Статьи сотрудников НИИ ПФП |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| app136z2p25.pdf | 1,29 MB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.