Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/257350| Заглавие документа: | Плазмонное поглощение инфракрасного излучения в структуре Si/SiO2/Si: анализ особенностей спектра поглощения |
| Другое заглавие: | Plasmon absorption of infrared radiation in the Si/SiO2/Si structure: analysis of features of the absorption spectrum / A. I. Mukhammad, P. I. Gaiduk |
| Авторы: | Мухаммад, А. И. Гайдук, П. И. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2020 |
| Издатель: | Минск : БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Материалы и структуры современной электроники : материалы IX Междунар. науч. конф., Минск, 14–16 окт. 2020 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2020. – С. 378-381. |
| Аннотация: | С помощью метода конечных разностей во временной области (FDTD) проведено моделирование спектров поглощения структуры (островки Si)/SiO2/Si. Обнаружен эффект множественного резонанса для структуры с размером островка 4 мкм и периодом их повторения 8 мкм. Для такой структуры обнаружена широкая полоса (>12 мкм) высокого уровня поглощения излучения (>80%). Для спектрального диапазона 10–20 мкм выявлено, что широкие полосы поглощения возникают благодаря распространяющимся поверхностным плазмонам на границе разделов диэлектрика и слоев высоколегированного кремния |
| Аннотация (на другом языке): | The time domain finite difference (FDTD) method was used to model the absorption spectra of the structure (Si islands)/SiO2/Si. The effect of multiple resonance was found for a structure with an islands size of 4 microns and period of 8 microns. A wide band (>12 microns) of high radiation absorption (>80%) was found for this structure. For the spectral range of 10–20 microns, it was found that wide absorption bands occur due to propagating surface plasmons at the boundary of the dielectric sections and layers of high-alloyed silicon |
| Доп. сведения: | Нанотехнологии, наноструктуры, квантовые явления. Наноэлектроника. Приборы на квантовых эффектах |
| URI документа: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/257350 |
| ISBN: | 978-985-881-073-3 |
| Располагается в коллекциях: | 2020. Материалы и структуры современной электроники |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 378-381.pdf | 497,37 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.