Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/257259| Заглавие документа: | Комбинационное рассеяние света и механизмы электропроводности в гибридных пленках из углеродных и неорганических нанотрубок |
| Другое заглавие: | Raman scattering and electrical conductivity mechanisms in carbon nanotubes/inorganic nanotubes hybrid films / V. K. Ksenevich, N. I. Gorbachuk, A. N. Smekhovich, M. V. Shuba, Ho Viet, A. D. Wieck |
| Авторы: | Ксеневич, В. К. Горбачук, Н. И. Смехович, А. Н. Шуба, М. В. Ho Viet Wieck, A. D. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2020 |
| Издатель: | Минск : БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Материалы и структуры современной электроники : материалы IX Междунар. науч. конф., Минск, 14–16 окт. 2020 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2020. – С. 452-457. |
| Аннотация: | Исследованы спектры комбинационного рассеяния света (КРС) и электрические свойства полученных методом фильтрации через пористые мембраны гибридных пленок из диэлектрических нанотрубок дисульфида вольфрама и характеризующихся высокой электропроводностью однослойных углеродных нанотрубок (ОУНТ). Установлено, что для всех пленок с различным соотношением в них между ОУНТ и нанотрубками WS2 механизмами электропроводности являются прыжковая проводимость с переменной длиной прыжка при низких температурах и флуктуационно-индуцированное туннелирование в области высоких температур |
| Аннотация (на другом языке): | The Raman spectra and electrical properties of hybrid films consisting of dielectric tungsten disulfide nanotubes and highly electrically conductive single-walled carbon nanotubes (SWCNT) obtained by means of filtration through porous membranes method were studied. It was found that electrical conductivity of all hybrid films with different ratios between SWCNTs and WS2 nanotubes can be described within frame of variable range hopping conductivity mechanism at low temperatures and fluctuation-induced tunneling model at high temperatures |
| Доп. сведения: | Нанотехнологии, наноструктуры, квантовые явления. Наноэлектроника. Приборы на квантовых эффектах |
| URI документа: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/257259 |
| ISBN: | 978-985-881-073-3 |
| Финансовая поддержка: | Работа поддержана государственной программой научных исследований «Физическое материаловедение, новые материалы и технологии» (подпрограмма «Наноматериалы и нанотехнологии», задание 2.31) |
| Располагается в коллекциях: | 2020. Материалы и структуры современной электроники |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 452-457.pdf | 759,14 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.