Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/257254| Заглавие документа: | Исследование влияния границы раздела на теплопроводность <011>-ориентированных наношнуров Si/Ge со структурами типа ядро-оболочка и сегментного типа |
| Другое заглавие: | Study of the interface influence on thermal conductivity of <011>-oriented Si/Ge nanowires with core-shell and segment structures / I. I. Khaliava, А. L. Khomets, I. V. Safronov, D. B. Migas |
| Авторы: | Холяво, И. И. Хомец, А. Л. Сафронов, И. В. Мигас, Д. Б. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2020 |
| Издатель: | Минск : БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Материалы и структуры современной электроники : материалы IX Междунар. науч. конф., Минск, 14–16 окт. 2020 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2020. – С. 428-433. |
| Аннотация: | В работе проведено исследование влияния границы раздела наношнуров Si и Ge с ориентацией <011> и диаметром около 5 нм на их теплопроводность с помощью метода неравновесной молекулярной динамики, реализованного в пакете LAMMPS. Обнаружено, что для наношнуров Si-ядро/Ge-оболочка возможно достичь коэффициента теплопроводности менее 10 Вт/(м·К), и для наношнуров сегментного типа 2 Вт/(м·К), в то время как значения теплопроводности для наношнуров из чистого Si и Ge составляют соответственно 19,1 и 11,4 Вт/(м·К). Учет эффекта перемешивания атомов на границе раздела приводит к снижению теплопроводности |
| Аннотация (на другом языке): | In this paper we studied the effect of the interfaces influence on thermal conductivity of <011>-oriented Si and Ge nanowires with diameters of about 5 nm using nonequilibrium molecular dynamics, implemented in the LAMMPS package. It was found that for Si-core / Ge-shell nanowires a thermal conductivity coefficient can be less than 10 W/(m·K), while for segment-type nanowires 2 W/(m·K) was found to compared with 19.1 and 11.4 W/(m·K) for bare Si and Ge nanowires, respectively. Calculations also show that intermixing at the interface leads to a decrease in thermal conductivity |
| Доп. сведения: | Нанотехнологии, наноструктуры, квантовые явления. Наноэлектроника. Приборы на квантовых эффектах |
| URI документа: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/257254 |
| ISBN: | 978-985-881-073-3 |
| Располагается в коллекциях: | 2020. Материалы и структуры современной электроники |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 428-433.pdf | 1,09 MB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.