Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/257253| Заглавие документа: | Гетероэпитаксиальные пленки нитрида галлия на пористом кремнии |
| Другое заглавие: | Heteroepitaxial gallium nitride films on porous silicon / A. L. Dolgiy, N. S. Pisarenko, V. P. Bondarenko |
| Авторы: | Долгий, А. Л. Писаренко, Н. С. Бондаренко, В. П. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2020 |
| Издатель: | Минск : БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Материалы и структуры современной электроники : материалы IX Междунар. науч. конф., Минск, 14–16 окт. 2020 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2020. – С. 45-50. |
| Аннотация: | Электрохимическим анодированием в растворе фтористоводородной кислоты на поверхности монокристаллических кремниевых пластин были сформированы буферные слои пористого кремния, которые состояли из двух субслоев с различной пористостью и толщиной. Первый поверхностный слой имел толщину 0,5 мкм и низкую пористость 30–40 %, а второй слой имел пористость 55–60 % и толщину 5 мкм. Методами атомно-слоевой и молекулярно-лучевой эпитаксии на поверхности пористого кремния были сформированы слои нитрида галлия. Перед эпитаксией был проведен отжиг в атмосфере водорода для спекания пористого кремния. Для изучения структуры полученных гетероэпитаксиальных структур были использованы сканирующая электронная микроскопия и рентгеновский анализ. Установлены особенности образования и роста слоев нитрида галлия и влияния на их структуру параметров буферных слоев пористого кремния и режимов отжига. Показано, что комбинация атомно-слоевой и молекулярно-лучевой эпитаксии позволяет получить гетероэпитаксиальные структуры нитрида галлия приборного качества на кремниевых подложках |
| Аннотация (на другом языке): | By electrochemical anodization in a solution of hydrofluoric acid buffer layers of porous silicon, which consisted of two sublayers with different porosities and thicknesses, were fabricated on the surface monocrystalline silicon wafers. The first surface layer had a thickness of 0.5 μm and a low porosity of 30–40%, and the second layer had a porosity of 55–60% and a thickness of 5 μm. Gallium nitride layers were deposited on the porous silicon surface by atomic-layer epitaxy followed by molecular-beam epitaxy. Prior to epitaxy, annealing was performed in a hydrogen atmosphere to sinter porous silicon. To study the structure of the samples of heteroepitaxial structures, scanning electron microscopy and X-ray analysis were used. The features of the formation and growth of gallium nitride layers and the influence of the parameters of the buffer layers of porous silicon and annealing regimes on their structure are established. It was shown that the combination of atomic-layer epitaxy and molecular-beam epitaxy makes it possible to obtain device-quality heteroepitaxial structures of gallium nitride on silicon substrates |
| Доп. сведения: | Свойства, диагностика и применение полупроводниковых материалов и структур на их основе |
| URI документа: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/257253 |
| ISBN: | 978-985-881-073-3 |
| Финансовая поддержка: | Работа выполнена в рамках задания 3.2.04 подпрограммы «Микро- и наноэлектроника» ГПНИ «Фотоника, опто- и микроэлектроника» |
| Располагается в коллекциях: | 2020. Материалы и структуры современной электроники |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.