Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/252756
Заглавие документа: | Determination of carrier lifetime in thermally evaporated In2S3 thin films by light induced transient grating technique |
Авторы: | Rasool, S. Ščajev, P. Saritha, K. Svito, I. Ramakrishna Reddy, K. T. Tivanov, M. S. Grivickas, V. |
Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
Дата публикации: | 23-мар-2020 |
Издатель: | Springer Science+Business Media |
Библиографическое описание источника: | Applied Physics A |
Аннотация: | In2S3 thin films were deposited onto soda lime glass substrates using thermal evaporation technique at a constant substrate temperature of 300 °C and the films were annealed in a sulfur ambient at 250 °C and 300 °C for 1 h. Light induced transient grating (LITG) technique was used to determine the carrier lifetime in In2S3 thin films. The determined carrier lifetime values for different excitation energy densities, I0 = 0.06–1.64 mJ/cm2 decreased from 206 to 18 ps and 150 to 14 ps for the films annealed at 250 °C and 300 °C respectively. Further, the bimolecular, Auger recombination coefficients and diffusion coefficient were determined in the films. The observed bimolecular carrier recombination origin was explained by interface and Auger recombination processes. |
URI документа: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/252756 |
DOI документа: | https://doi.org/10.1007/s00339-020-03495-5 |
Располагается в коллекциях: | Кафедра физики твердого тела и нанотехнологий (статьи) |
Полный текст документа:
Файл | Описание | Размер | Формат | |
---|---|---|---|---|
Rasool2020_LITG_Applied Physics A.pdf | 2,14 MB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.