Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/247126| Заглавие документа: | Релаксация заряда на электрически активных границах зерен в профилированном кремнии |
| Авторы: | Ильяшук, Ю. М. Федотов, А. К. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 1994 |
| Издатель: | Минск : Універсітэцкае |
| Библиографическое описание источника: | Вестник Белорусского государственного университета. Сер. 1, Физика. Математика. Механика. – 1994. – № 3. – С. 17-21. |
| Аннотация: | In this work the influence of oxygen and carbon segregation on the voltage-current (I - V) characteristics measured across the plane of the individual grain boundaries, spontaneously nucleated during the growth (SNGBs) of shaped Silicon is studied. The investigations carried out have shown that such SNGBs display the slow temporal relaxation of I - V which can be described by a logarithmic law with the gigantic values of the characteristic times (-10 3- 10 4 sec) for a relaxation process |
| URI документа: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/247126 |
| ISSN: | 0321-0367 |
| Лицензия: | info:eu-repo/semantics/openAccess |
| Располагается в коллекциях: | 1994, №3 (сентябрь) |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.