Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/243792Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Иванов, Илья Сергеевич | - |
| dc.date.accessioned | 2020-06-10T08:29:23Z | - |
| dc.date.available | 2020-06-10T08:29:23Z | - |
| dc.date.issued | 2020-06 | - |
| dc.identifier.uri | http://elib.bsu.by/handle/123456789/243792 | - |
| dc.description.abstract | В ходе работы проведено моделирование характеристик лазерных гетероструктур на основе твердых растворов AlGaInAs/InP с узким и широким волноводом. Рассчитаны токовые зависимости выходной мощности, средней температуры активной области, коэффициента внутренних потерь и коэффициента инжекции в квантовые ямы. | ru |
| dc.language.iso | ru | ru |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | ru |
| dc.title | Полупроводниковые лазеры AlGaInAs/InP с блокирующими слоями: аннотация к дипломной работе / Илья Сергеевич Иванов, БГУ, Факультет радиофизики и компьютерных технологий, Кафедра квантовой радиофизики и оптоэлектроники; науч. рук. – профессор Афоненко А.А. | ru |
| dc.type | annotation | ru |
| dc.rights.license | CC BY 4.0 | ru |
| dc.description.alternative | In the work, the characteristics of laser heterostructures based on AlGaInAs / InP solid solutions with a narrow and wide waveguide were modeled. The current dependences of the output power, the average temperature of the active region, the coefficient of internal losses, and the coefficient of injection into quantum wells are calculated. | ru |
| Располагается в коллекциях: | Аэрокосмические радиоэлектронные и информационные системы и технологии. 2020 | |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| Иванов-реферат.pdf | 281,19 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.