Logo BSU

Поиск


Текущие фильтры:

Начать новый поиск
Добавить фильтры:

Используйте фильтры для уточнения результатов поиска.


Результаты 1-10 из 12.
Найденные документы:
Предварительный просмотрДата выпускаЗаглавиеАвтор(ы)
18-ноя-2013Моделирование приборов интегральной электроники и наноэлектроники №УД-665/рБорздов, В. М.
22-ноя-2013Основы радиоэлектроники № УД-862/рБорздов, В. М.
22-ноя-2013Основы радиоэлектроники № УД-861/рБорздов, В. М.
5-дек-2012Основы радиоэлектроники : электронный учебно-методический комплекс / В. М. Борздов, О. Г. Жевняк; БГУ, Факультет радиофизики и компьютерных технологийБорздов, В. М.; Жевняк, О. Г.
2010Моделирование структуры и электрических характеристик P№-транзистора при различных параметрах эпитаксиальной плёнкиДудар, Н. Л.; Борздов, В. М.
2008Моделирование процесса переноса электронов в полевых транзисторах со структурой КНИПавлова, О. С.; Борздов, В. М.
2006Моделирование переходных процессов в GaAs-квантовой проволоке с учетом уширения энергетических уровнейЖевняк, О. Г.; Поздняков, Д. В.; Борздов, А. В.; Борздов, В. М.; Галенчик, В. О.
2002Самосогласованный расчет энергетических уровней в цепочке квантовых ям с одномерным электронным газомБорздов, В. М.; Галенчик, В. О.; Жевняк, О. Г.; Комаров, Ф. Ф.
2004Самосогласованное моделирование методом Монте- Карло переноса электронов в гетероструктуре GAAS/ALxGA1-XASБорздов, А. В.; Борздов, В. М.; Галенчик, В. О.; Комаров, Ф. Ф.
2015Определение полярного угла рассеяния электронов на ионизированной примеси в полупроводниках методом Монте-Карло.Борздов, В. М.; Сперанский, Д. С.; Борздов, А. В.