Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/233802Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Гацкевич, Е. И. | |
| dc.contributor.author | Ивлев, Г. Д. | |
| dc.contributor.author | Баран, Л. В. | |
| dc.contributor.author | Гусакова, С. В. | |
| dc.date.accessioned | 2019-11-13T10:39:20Z | - |
| dc.date.available | 2019-11-13T10:39:20Z | - |
| dc.date.issued | 2019 | |
| dc.identifier.citation | Взаимодействие излучений с твердым телом = Interaction of Radiation with Solids : материалы 13-й Междунар. конф., Минск, Беларусь, 30 сент. – 3 окт. 2019 г. / редкол.: В. В. Углов (отв. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2019. – С. 53-55. | |
| dc.identifier.issn | 2663-9939 | |
| dc.identifier.uri | http://elib.bsu.by/handle/123456789/233802 | - |
| dc.description | Секция 1. Процессы взаимодействия излучения и плазмы с твердым телом = Section 1. Processes of Radiation and Plasma Interaction with Solids | |
| dc.description.abstract | Методами растровой электронной и атомно-силовой микроскопии исследовано влияние импульсной лазерной обработки на морфологию тонких, в исходном состоянии аморфных, пленок германия (a-Ge:Sb) на кремнии и сапфире и тонких пленок a-GeSi:H на Si. Изучалось воздействие на данные объекты наносекундных (70 - 80 нс) импульсов излучения рубинового лазера в диапазоне плотностей энергий облучения от 0.25 до 1.1 Дж/см 2 , включающим режимы частичного или полного плавления пленок. Показано, что по мере увеличения плотности энергии облучения наблюдается образование как ячеистой с характерным микронным размером овальных ячеек, так и зернистой кристаллической фазы. Средняя арифметическая неровность/шероховатость лазерно-модифицированных пленок может быть в десятки раз больше исходной. | |
| dc.language.iso | ru | |
| dc.publisher | Минск : БГУ | |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | |
| dc.title | Морфология лазерно-модифицированного тонкопленочного германия | |
| dc.title.alternative | Morphology of Laser-Modified Thin-Film Germanium / Elena Gatskevich, Gennadii Ivlev, Liudmila Baran, Sophiya Gusakova | |
| dc.type | conference paper | |
| dc.description.alternative | The influence of pulsed laser processing on the morphology and micro-dimensional relief of initially amorphous thin films (~ 0.2 µm) of a-Ge:Sb on silicon and sapphire and also a-(GeSi):H films on Si substrates has been studied. The samples studied were irradiated by a ruby laser at pulse duration of 70-80 ns. The energy density in the laser spot was varied from 0.25 to 1,1 J/cm2. Under pulsed laser treatment of each sample at given values of energy density, the phase transformations duration was controlled by means of monitoring the reflectivity dynamics of the laser-irradiated zone at the wave-length (0,53 and/or 1,06 µm) of probe radiation. The phase transformations lead to a new (polycrystalline) structural state of the films. As the irradiation energy density increases, partial or complete melting of the film, or melting of the film and substrate with following solidification were observed. Scanning Electron and Atomic Force Microscopy were used to study the structural state/morphology of the initial and laser modified surface. The formation is observed of cellular structure with a characteristic micron size of oval cells and grain crystalline phase as irradiation energy density increases. After pulsed laser treatments the arithmetic average roughness of laser-modified films can be ten times more than one in the original surfaces. | |
| Располагается в коллекциях: | 2019. Взаимодействие излучений с твердым телом = Interaction of Radiation with Solids | |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.