Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/226624Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Покаташкин, В. И. | - |
| dc.contributor.author | Сытько, В. В. | - |
| dc.contributor.author | Красовский, А. Н. | - |
| dc.contributor.author | Умрейко, С. Д. | - |
| dc.date.accessioned | 2019-08-08T08:38:04Z | - |
| dc.date.available | 2019-08-08T08:38:04Z | - |
| dc.date.issued | 1999 | - |
| dc.identifier.citation | Вестник Белорусского государственного университета. Сер. 1, Физика. Математика. Информатика. – 1999. – № 3. – С. 13-16. | ru |
| dc.identifier.issn | 0321-0367 | - |
| dc.identifier.uri | http://elib.bsu.by/handle/123456789/226624 | - |
| dc.description.abstract | The luminescence of Rb3IrO2F5 crystals upon selective resonance laser excitation within inhomogeneously broadened band of the first electronic transition has been investigated at 6 K. The nonselective spectral transfer of the electronic excitation energy detected in uranyl fluoride complexes has been attributed to interaction of lower excitation levels and Raman phonons in the crystal. | ru |
| dc.description.sponsorship | Работа поддерживалась Фондом фундаментальных исследований Республики Беларусь (грант Ф 97-186). | ru |
| dc.language.iso | ru | ru |
| dc.publisher | Минск : Універсітэцкае | ru |
| dc.rights | info:eu-repo/semantics/openAccess | en |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | ru |
| dc.title | Миграция энергии электронного возбуждения в кристаллах Rb3UO2F5 при селективном лазерном возбуждении | ru |
| dc.type | article | ru |
| Располагается в коллекциях: | 1999, №3 (сентябрь) | |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.