Анализ качества посадки кристаллов мощных кремниевых MOSFET транзисторов тепловыми методами

Abstract

Одной из основных проблем при эксплуатации мощных полевых транзисторов является перегрев кристалла, который в значительной степени определяется качеством посадки кристалла на теплоотводящее основание. В качестве параметра, позволяющего оценить температуру нагрева транзистора, используется тепловое сопротивление [1]. Тепловое сопротивление содержит три составляющих: сопротивление «кристалл - корпус» Rjc, «корпус - теплосток» Res, «теплосток - окружающая среда» RSA- ДЛЯ снижения Rjc необходимо оптимизировать размеры кристалла, способы его посадки, типы корпусов. Вместе с тем параметр R,c является интегральным, в то время как существует потребность в определении его структуры. В настоящей работе предложен метод, позволяющий определить внутреннее тепловое сопротивление транзисторов и его структуру в виде временного спектра (зависимости тепловых сопротивлений элементов конструкции от тепловых постоянных времени), и на его основе проведен анализ качества посадки кристаллов мощных кремниевых полевых транзисторов.