Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/218226
Заглавие документа: | Optoelectronic properties of In2S3 thin films measured using surface photovoltage spectroscopy |
Авторы: | Rasool, S. Saritha, K. Ramakrishna Reddy, K. T. Bychto, L. Patryn, A. Maliński, M. Tivanov, M. S. Gremenok, V. F. |
Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
Дата публикации: | ноя-2019 |
Издатель: | IOP Publishing Ltd. |
Библиографическое описание источника: | Materials Research Express. – 2019. – Volume 6, Number 7 – Pages 076417. |
Аннотация: | In recent years, In2S3 thin films were widely used as buffer/window layer in thin film solar cells as an alternative to toxic CdS. In the present work, we demonstrate the potential of surface photovoltage spectroscopy for estimation of minority carrier diffusion length, band gap energy and refractive index of thermally evaporated In2S3 thin films. The estimated minority carrier diffusion length of In2S3 thin films from SPV measurements were 0.112 μm and 0.052 μm for films annealed at 250 and 300 °C respectively. |
URI документа: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/218226 |
ISSN: | 20531591 |
Располагается в коллекциях: | Кафедра физики твердого тела и нанотехнологий (статьи) |
Полный текст документа:
Файл | Описание | Размер | Формат | |
---|---|---|---|---|
Rasool_MaterResExpress_2019.pdf | 666,6 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.