Logo BSU

Please use this identifier to cite or link to this item: http://elib.bsu.by/handle/123456789/215259
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorСамусевич, И. С.
dc.contributor.authorШохонов, Д. А.
dc.contributor.authorСафронов, И. В.
dc.contributor.authorМигас, Д. Б.
dc.identifier.citationМатериалы и структуры современной электроники : материалы VIII Междунар. науч. конф., Минск, 10–12 окт. 2018 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2018. – С. 309-313.
dc.descriptionНанотехнологии, наноструктуры, квантовые явления. Наноэлектроника. Приборы на квантовых эффектах
dc.description.abstractПроведено исследование стабильности наношнуров кремния и германия с различными типами морфологий и направлениями роста в диапазоне диаметров ~1,5–20 нм. Моделирование проводилось методом молекулярной динамики с использованием пакета LAMMPS. Результаты показывают, что с увеличением диаметра наношнуров более 20 нм их морфология практически не влияет на стабильность.
dc.publisherМинск : БГУ
dc.titleВлияние морфологии на стабильность наношнуров кремния и германия
dc.title.alternativeInfluence of surface morphology on the stability of nanowires of germanium and silicon / I. S. Samusevich, D. A. Shohonov, I. V. Safronov, D. B. Migas
dc.typeconference paper
dc.description.alternativeInvestigation of stability of silicon and germanium nanowires with various morphologies and growth directions in the range of diameters of ~1.5–20 nm has been carried out. The simulation was performed by using the molecular dynamics method realized in the LAMMPS package. The results show that nanowire morphology does not affect stability if diameters are larger than 20 nm.
Appears in Collections:2018. Материалы и структуры современной электроники

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
309-313.pdf1,44 MBAdobe PDFView/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.