Logo BSU

Please use this identifier to cite or link to this item: http://elib.bsu.by/handle/123456789/215259
Title: Влияние морфологии на стабильность наношнуров кремния и германия
Other Titles: Influence of surface morphology on the stability of nanowires of germanium and silicon / I. S. Samusevich, D. A. Shohonov, I. V. Safronov, D. B. Migas
Authors: Самусевич, И. С.
Шохонов, Д. А.
Сафронов, И. В.
Мигас, Д. Б.
Keywords: ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
Issue Date: 2018
Publisher: Минск : БГУ
Citation: Материалы и структуры современной электроники : материалы VIII Междунар. науч. конф., Минск, 10–12 окт. 2018 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2018. – С. 309-313.
Abstract: Проведено исследование стабильности наношнуров кремния и германия с различными типами морфологий и направлениями роста в диапазоне диаметров ~1,5–20 нм. Моделирование проводилось методом молекулярной динамики с использованием пакета LAMMPS. Результаты показывают, что с увеличением диаметра наношнуров более 20 нм их морфология практически не влияет на стабильность.
Abstract (in another language): Investigation of stability of silicon and germanium nanowires with various morphologies and growth directions in the range of diameters of ~1.5–20 nm has been carried out. The simulation was performed by using the molecular dynamics method realized in the LAMMPS package. The results show that nanowire morphology does not affect stability if diameters are larger than 20 nm.
Description: Нанотехнологии, наноструктуры, квантовые явления. Наноэлектроника. Приборы на квантовых эффектах
URI: http://elib.bsu.by/handle/123456789/215259
ISBN: 978-985-566-671-5
Appears in Collections:2018. Материалы и структуры современной электроники

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
309-313.pdf1,44 MBAdobe PDFView/Open


PlumX

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.