Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/215251Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Левчук, Е. А. | |
| dc.date.accessioned | 2019-02-21T13:28:21Z | - |
| dc.date.available | 2019-02-21T13:28:21Z | - |
| dc.date.issued | 2018 | |
| dc.identifier.citation | Материалы и структуры современной электроники : материалы VIII Междунар. науч. конф., Минск, 10–12 окт. 2018 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2018. – С. 280-285. | |
| dc.identifier.isbn | 978-985-566-671-5 | |
| dc.identifier.uri | http://elib.bsu.by/handle/123456789/215251 | - |
| dc.description | Нанотехнологии, наноструктуры, квантовые явления. Наноэлектроника. Приборы на квантовых эффектах | |
| dc.description.abstract | Проведено численное моделирование электронной структуры квантовой точки, индуцированной электрическим полем дискообразного затвора и находящейся во внешнем магнитном поле. На основании модели анизотропного гармонического осциллятора предложена классификация электронных состояний электрически индуцированной квантовой точки и описана их эволюция при изменении величины магнитного поля. Изучены условия возникновения групп близких уровней энергий (электронных оболочек) при изменении потенциала затвора. | |
| dc.language.iso | ru | |
| dc.publisher | Минск : БГУ | |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | |
| dc.title | Влияние магнитного поля на электронную структуру приповерхностной электрически индуцированной квантовой точки | |
| dc.title.alternative | Effect of magnetic field on electronic structure of near-surface electrically induced quantum dot / Е. А. Levchuk | |
| dc.type | conference paper | |
| dc.description.alternative | Numerical modeling of excited states in a quantum dot, induced by electrical field of disc-shaped gate, is carried out in the presence of magnetic field. On the basis of anisotropic harmonic oscillator model, classification for electronic states of electrically induced quantum dot is given and its evolution in gate potential and magnetic field is described. The conditions of emergence of close energy levels (electronic shells) are studied for different gate potentials. | |
| Располагается в коллекциях: | 2018. Материалы и структуры современной электроники | |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 280-285.pdf | 396,68 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.