Logo BSU

Please use this identifier to cite or link to this item: http://elib.bsu.by/handle/123456789/215227
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorОджаев, В. Б.
dc.contributor.authorПанфиленко, А. К.
dc.contributor.authorПетлицкий, А. Н.
dc.contributor.authorПилипенко, В. А.
dc.contributor.authorПросолович, В. С.
dc.contributor.authorФилипеня, В. А.
dc.contributor.authorЯвид, В. Ю.
dc.contributor.authorЯнковский, Ю. Н.
dc.date.accessioned2019-02-21T13:28:18Z-
dc.date.available2019-02-21T13:28:18Z-
dc.date.issued2018
dc.identifier.citationМатериалы и структуры современной электроники : материалы VIII Междунар. науч. конф., Минск, 10–12 окт. 2018 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2018. – С. 183-187.
dc.identifier.isbn978-985-566-671-5
dc.identifier.urihttp://elib.bsu.by/handle/123456789/215227-
dc.descriptionДефектно-примесная инженерия. Радиационные эффекты в полупроводниках
dc.description.abstractМетодом измерения вольт-амперных характеристик исследована зависимость коэффициента усиления по току биполярных n–p–n-транзисторов от параметров базы и содержания технологических примесей. Установлено, что уменьшение ширины базы в биполярном n–p–n-транзисторе позволяет пропорционально увеличить коэффициент усиления по току. Это справедливо только для среднего и высокого уровня инжекции. При низких (Ic ≤ 10-6 A) уровнях инжекции при наличии в приборах высокой концентрации технологических примесей увеличение темпа рекомбинации носителей в эмиттерном переходе приводит к уменьшению коэффициента инжекции и, как следствие, к уменьшению коэффициента усиления по току. При низких уровнях инжекции этот процесс превалирует над эффектом, достигаемым при увеличении ширины базы.
dc.language.isoru
dc.publisherМинск : БГУ
dc.subjectЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
dc.titleЗависимость коэффициента усиления биполярного n–p–n-транзистора от параметров легированных областей и содержания технологических примесей
dc.title.alternativeDependence of the coefficient of amplification of a bipolar n–p–n-transistor on the parameters of the doped regions and the content of technological impurities / V. B. Odzhaev, A. K. Panfilenko, A. N. Pyatlitski, V. A. Pilipenko, V. S. Prosolovich, V. A. Filipenya, V. Yu. Yavid, Yu. N. Yankovski
dc.typeconference paper
dc.description.alternativeThe dependence of bipolar n–p–n-transistors current gain on base parameters and residual impurities concentration have been investigated by means of input and output current-voltage characteristics measurements. It was shown that at middle and high levels of injection the base width decrease leads to proportional increase of the current gain. At low (Ic ≤ 10-6 A) injection levels in the presence of a high concentration of process impurities in devices, an increase in the rate of carrier recombination in the emitter junction leads to a decrease in the injection coefficient and, as a consequence, to a decrease in the current gain. At low injection levels, this process prevails over the effect achieved with increasing the width of the base.
Appears in Collections:2018. Материалы и структуры современной электроники

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
183-187.pdf402,94 kBAdobe PDFView/Open


PlumX

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.