Logo BSU

  1. Электронная библиотека БГУ
  2. Физический факультет
  3. НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ ФИЗИЧЕСКОГО ФАКУЛЬТЕТА
  4. Сборники научных статей и материалы конференций физического факультета
  5. Материалы и структуры современной электроники
  6. 2018. Материалы и структуры современной электроники
Даты публикации Авторы Заглавия Темы
Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: https://elib.bsu.by/handle/123456789/215206
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.authorСолодуха, В. А.
dc.contributor.authorПилипенко, В. А.
dc.contributor.authorГорушко, В. А.
dc.date.accessioned2019-02-21T13:28:14Z-
dc.date.available2019-02-21T13:28:14Z-
dc.date.issued2018
dc.identifier.citationМатериалы и структуры современной электроники : материалы VIII Междунар. науч. конф., Минск, 10–12 окт. 2018 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2018. – С. 101-104.
dc.identifier.isbn978-985-566-671-5
dc.identifier.urihttp://elib.bsu.by/handle/123456789/215206-
dc.descriptionСвойства, диагностика и применение полупроводниковых материалов и структур на их основе
dc.description.abstractОбоснованы режимы формирования силицида платины с использованием быстрой термической обработки. Показано, что проведение твердофазного синтеза вплоть до 810 °С не вызывает в пластинах возникновения термических напряжений, превышающих предел текучести кремния, а для исключения влияния на данный процесс кислорода его необходимо проводить в среде азота.
dc.language.isoru
dc.publisherМинск : БГУ
dc.subjectЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
dc.titleОсобенности режимов формирования силицида платины при быстрой термообработке
dc.title.alternativePeculiarities of the formation modes of platinum silicide during the rapid thermal treatment / V. A. Solodukha, V. A. Pilipenko, V. A. Gorushko
dc.typeconference paper
dc.description.alternativeThere were substantiated the formation modes of platinum silicide with application of the rapid thermal treatment. It was shown, that performance of the solid phase synthesis close to 810º C does not result in the emergence in the wafers of the thermal stresses exceeding the silicon yield point, and in order to preclude influence of the given process of oxygen it is necessary to perform it in the nitrogen medium.
Располагается в коллекциях:2018. Материалы и структуры современной электроники

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
101-104.pdf372,41 kBAdobe PDFОткрыть
Показать базовое описание документа Статистика Google Scholar



Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.