Logo BSU

Просмотр "2018. Материалы и структуры современной электроники" Заглавия

Перейти: 0-9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

А Б В Г Д Е Ж З И Й К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Ъ Ы Ь Э Ю Я

или введите несколько первых символов:  
Результаты 9 - 28 из 94 < предыдущий   следующий >
Предварительный просмотрДата выпускаЗаглавиеАвтор(ы)
2018Автоматизированный метод распознавания наночастиц алюминия, осажденных в вакууме на кремниевые подложкиГончаров, В. К.; Пехота, А. А.; Пузырев, М. В.; Ступакевич, В. Ю.
2018Автоэлектронная эмиссия из кремниевых лезвийТрафименко, А. Г.; Данилюк, А. Л.
2018Взаимодействие индотрикарбоцианинового красителя с наноалмазами детонационного синтеза в водных средахБелько, Н. В.; Самцов, М. П.; Гусаков, Г. А.; Луговский, А. А.; Пархоменко, В. А.; Воропай, Е. С.
2018Влияние буферного слоя пористого кремния на рост карбида кремния на кремниевой подложкеЛобанок, М. В.; Прокопьев, С. Л.; Новиков, А. Г.; Мильчанин, О. В.; Долгий, А. Л.; Бондаренко, В. П.; Гайдук, П. И.
2018Влияние легирования бором на термоделокализацию носителей заряда в сегнетоэлектрике - полупроводнике TlInS2Одринский, А. П.; Seyidov, M. H. Yu.; Наджафов, А. И.; Aliyeva, V. B.
2018Влияние магнитного поля на электронную структуру приповерхностной электрически индуцированной квантовой точкиЛевчук, Е. А.
2018Влияние морфологии на стабильность наношнуров арсенида галлияХоляво, И. И.; Хомец, А. Л.; Сафронов, И. В.; Мигас, Д. Б.
2018Влияние морфологии на стабильность наношнуров кремния и германияСамусевич, И. С.; Шохонов, Д. А.; Сафронов, И. В.; Мигас, Д. Б.
2018Влияние обменного смещения на магнитосопротивленние спинового вентиляСергеенко, В. С.; Данилюк, А. Л.
2018Влияние объемных заместителей на способность генерации синглетного кислорода индотрикарбоцианиновыми красителямиТарасов, Д. С.; Самцов, М. П.; Луговский, А. А.; Сташевский, А. С.
2018Влияние одиночного слоя графена на характеристики полевого транзистораМуравьев, В. В.; Мищенко, В. Н.
2018Влияние переменного магнитного поля на оптическую плотность воды, используемую в технологии микроэлектроникиЛукьяница, В. В.
2018Влияние состава ростовой шихты на содержание фоновых примесей в монокристаллах синтетического алмазаГусаков, Г. А.; Шаронов, Г. В.
2018Влияние структуры знаков совмещения на их «читаемость» после эпитаксиального наращивания кремнияНаливайко, О. Ю.; Бахматова, Н. А.; Ковальчук, Н. C.; Турцевич, А. С.; Ратино, А. К.
2018Влияние температуры облучения (Тобл = 80–700 К) быстрыми электронами и γ-квантами 60 Со на эффективность формирования радиационных дефектов в кремнии p-типаМедведева, И. Ф.; Мурин, Л. И.; Маркевич, В. П.; Ластовский, С. Б.; Фадеева, Е. А.
2018Влияние формы канала на процессы образования AlN при воздействии на алюминиевую мишень сериями сдвоенных лазерных импульсовБаззал, Х.; Воропай, Е. С.; Зажогин, А. П.; Лычковский, В. В.
2018Влияние электрического поля наноразмерного затвора на обменное взаимодействие в системе пар доноров и квантовых точекЛевчук, Е. А.; Максимов, М. С.; Макаренко, Л. Ф.
2018Возможность использования наноалмаза детонационного синтеза в качестве стабильного эталона в ЭПР спектроскопииОлешкевич, А. Н.; Долматов, В. Ю.; Нгуен Тхи Тхань Бинь; Мунгцецег, С.; Шилагарди, Г.; Лапчук, Н. М.; Лапчук, Т. М.
2018Вопросы 3D-технологий в дисциплине «Инженерная графика» для специальности «Физика наноматериалов и нанотехнологий»Яшкин, В. И.; Ковалев, А. И.
2018Выращивание эпитаксиальных слоев кремния с использованием трихлорсиланаНаливайко, О. Ю.; Турцевич, А. С.; Рудницкий, К. В.; Шамплет, А. В.; Нагаев, И. А.