Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/208822Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Борздов, Владимир Михайлович | - |
| dc.contributor.author | Поздняков, Дмитрий Викторович | - |
| dc.date.accessioned | 2018-11-20T09:18:55Z | - |
| dc.date.available | 2018-11-20T09:18:55Z | - |
| dc.date.issued | 2002 | - |
| dc.identifier.citation | Вестник Белорусского государственного университета. Сер. 1, Физика. Математика. Информатика. – 2002. - № 1. – С. 26-30. | ru |
| dc.identifier.issn | 0321-0367 | - |
| dc.identifier.uri | http://elib.bsu.by/handle/123456789/208822 | - |
| dc.description.abstract | The approach to calculation of the polar optical phonon scattering rate in quantum well of GaAIAs-GaAs-GaAlAs double-barrier resonant tunneling structure when the resonant electron transport takes place was developed. | ru |
| dc.language.iso | ru | ru |
| dc.publisher | Минск : БГУ | ru |
| dc.rights | info:eu-repo/semantics/openAccess | en |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | ru |
| dc.title | Интенсивность рассеяния электронов на полярных оптических фононах в квантовой яме двухбарьерной резонансно-туннельной структуры на основе арсенида галлия | ru |
| dc.type | article | ru |
| Располагается в коллекциях: | 2002, №1 (январь) | |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.