Logo BSU

Please use this identifier to cite or link to this item: http://elib.bsu.by/handle/123456789/207702
Title: Накопление радиационных дефектов в кремнии при имплантации ионов азота
Other Titles: Accumulation of radiation defects in silicon implanted with nitrogen ions / A.R. Chelyadinskii, V.Yu. Yavid, P. Węgierek
Authors: Челядинский, А. Р.
Явид, В. Ю.
Венгерэк, П.
Keywords: ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
Issue Date: 2003
Publisher: Минск : БГУ
Citation: Взаимодействие излучений с твердым телом: материалы V междунар. науч. конф., 6-9 окт. 2003 г., Минск. — Мн.: БГУ, 2003. — С. 206-208.
Abstract: Методами двухкристального рентгеновского спектрометра и ЭПР исследовано накопление радиационных дефектов в кремнии при имплантации ионов N+ при высокой плотности тока ионного пучка (20 мкА см-2, сканирующий пучок, Jэф, = 0.5 мкА см-2) и низкой (0.05 мкА см-2). При высокой плотности ионного тока радиационные дефекты накапливаются вплоть до аморфизации при 1х1015 см-2. При низкой плотности тока ионов кривая изменения периода решетки имеет осциллирующий характер, и аморфизация не достигается при дозе ионов 1х1015 см-2. Захват атомов N на вакансионные дефекты и процесс вытеснения азота из узлов решетки междоузельными атомами Si (замещение по Воткинсу) работает как дополнительный механизм аннигиляции точечных дефектов. При высокой плотности тока ионов этот процесс аннигиляции дефектов отсутствует в результате подавления эффекта Воткинса вследствие высокого уровня ионизации в имплантированном слое.
Abstract (in another language): The accumulation of radiation defects in silicon implanted with 150 keV N+ ions at high ion current density (20 uA cm-2) and low density (0.05 uA cm-2) was investigated by means of X-ray double-crystal spectrometer and EPR method At high ion current density the radiation defects accumulate up to amorphization at the ion dose of 1x1015 cm-2. At low ion current density the curve of lattice parameter change on dose has oscillatory view and amorphization of the layer is not achieved at least up to ion dose of 1.4x1018 cm-2. The processes of the nitrogen atoms capture on the vacancy defects and Watkins displacement of them from the nodes work as additional channel of radiation defect annihilation. At high ion current densities and at high level of ionization in the implanted layer process of Watkins substitution is suppressed.
URI: http://elib.bsu.by/handle/123456789/207702
ISBN: 985-445-236-0; 985-445-235-2
Appears in Collections:2003. Взаимодействие излучений с твердым телом

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
206-208.pdf3,14 MBAdobe PDFView/Open


PlumX

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.