Logo BSU

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: http://elib.bsu.by/handle/123456789/20686
Заглавие документа: Structure and optical properties of silicon layers with GaSb nanocrystals created by ion-beam synthesis
Авторы: Komarov, F.
Vlasukova, L.
Milchanin, O.
Mudryi, A.
Dunets, B.
Wesch, W.
Wendler, E.
Дата публикации: 2012
Библиографическое описание источника: Physica Status Solidi A. - 2012. - № 1. - С. 148-152.
Аннотация: We have studied the ion-beam synthesis of GaSb nanocrystals in Si by high-fluence implantation of Sb and Ga ions followed by thermal annealing. RBS, TEM/TED, RS, and photoluminescence (PL) were employed to characterize the implanted layers. It was found that the nanocrystals size increases from 5 to 60 nm in the samples annealed at 900 8Cup to 20–90 nm in the samples annealed at 1100 8C. An existence of significant mechanical stresses within implanted layers has been detected. The stress values have been calculated from the shift of the Si first order Raman band. For the samples annealed at 900 8C a broad band in the spectral region of about 0.75–1.05 eV is detected in the PL spectra. The nature of this PL band is discussed.
URI документа: http://elib.bsu.by/handle/123456789/20686
Располагается в коллекциях:Статьи сотрудников НИИ ПФП

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
pssa_201127060_paginated_offprint.pdf3,08 MBAdobe PDFОткрыть

Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.