Модельное изучение стимулированных радиацией процессов «восходящей» диффузии атомов металла в полупроводник

Abstract

Численными методами изучена модель диффузии атомов металла в полупроводник в случае нелинейности, связанной с выталкиванием или втягиванием атомов металла в полупроводник. Показано, что выталкивание атомов металла из полупроводника может при определенных условиях привести к восходящей диффузии и уменьшению количества металла в полупроводнике и уменьшению переходного слоя между полупроводником и металлом. Приведены примеры корреляции расчета с экспериментальными профилями распределения компонентов в контактах Pt (AuGe)-n-n*-GaAs до и после облучения гамма - квантами 60Co.