Лазерный отжиг Аl2О3, содержащего наночастицы меди, сформированные имплантацией

Abstract

В работе исследовались композиционные слои на основе АІ2О3, имплантированного ионами Си* энергией 40 keV и дозой 1.0х0" ион/см^ при плотности ионного тока от 2.5 до 12.5 мкА/см^. Показано, что ионная имплантация позволяет синтезировать в приповерхностной области диэлектрика слой, включающий в себя наночастицы меди. Исследуется воздействие мощного импульсного криптонового эксимерного лазера, приложенного в области прозрачности AI2O3, на синтезированные имплантацией наночастицы меди. Обнаружено, что лазерное облучение ведет к уменьшению размеров металлических наночастиц в имплантированном слое, предположительно в результате разогрева и плавления наночастиц после поглощения излучения. Средние размеры наночастиц меди и оксидов меди анализировались посредством сравнения экспериментальных спектров с расчетными, полученными по теории Ми.