Logo BSU

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: http://elib.bsu.by/handle/123456789/20458
Заглавие документа: A New Nanoporous Material Based on Amorphous Silicon Dioxide
Авторы: Vlasukova, L. A.
Komarov, F. F.
Yuvchenko, V. N.
Mil’chanin, O. V.
Didyk, A. Yu.
Skuratov, V. A.
Kislitsyn, S. B.
Тема: физика и астрономия
Дата публикации: 2012
Библиографическое описание источника: ulletin of the Russian Academy of Sciences. Physics. - 2012. - № 5. - С. 582–587.
Аннотация: Processes for making nanoporous SiO2 layers on Si via the irradiation of thermally oxidized silicon wafers with fast ions followed by chemical treatment in a solution or vapor of hydrofluoric acid are presented. It is shown that the density, shape, diameter, and length to diameter ratio of channels etched in silicon dioxide can be controlled by varying the regimes of fast ion irradiation or chemical treatment of SiO2/Si structures. Track parameters calculated using the thermal spike model are compared with the chemical etching data.
URI документа: http://elib.bsu.by/handle/123456789/20458
ISSN: 1062-8738
Располагается в коллекциях:Статьи сотрудников НИИ ПФП

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
BRAS582.pdf2,64 MBAdobe PDFОткрыть

Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.