Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/204336| Заглавие документа: | Радиационное дефектообразование в арсенидгаллиевых полевых транзисторах c барьером Шоттки |
| Другое заглавие: | Radiation - induced defect production in GaAs mesfets / R. V. Konakova, V. V. Milenin, E. A. Soloviev, V. A. Statov , M. A. Stovpovoi, A. E. Rengevich |
| Авторы: | Конакова, Р. В. Миленин, В. В. Соловьев, Е. А. Статов, В. А. Стовповой, М. А. Ренгевич, А. Е. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 1999 |
| Издатель: | Минск : БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Взаимодействие излучений с твердым телом: Материалы III междунар. науч. конф., 6-8 окт. 1999 г., Минск: В 2 ч. Ч.1. — Мн.: БГУ, 1999. — С. 116-118. |
| Аннотация: | Рассмотрено влияние у-радиации в диапазоне доз 105 - 9108 P на статические вольтамперные характеристики арсвнидгаллиевых полевых транзисторов с затвором Шоттки (ПТШ). Показано, что улучшение BAX ПТШ обусловлено механизмом структурно-примесного упорядочения на границе раздела фаз омического и барьерного контактов с арсенидомнидгаллиевых полевых транзисторов с затвором Шоттки (ПТШ). Показано, что улучшение BAX ПТШ обусловлено механизмом структурно-примесного упорядочения на границе раздела фаз омического и барьерного контактов с арсенидом галлия. Деградация статических BAX транзисторов при дозах у-радиации, превышающих 105 P связана с радиационным дефектообразованием в GaAs. |
| Аннотация (на другом языке): | An essential factor affecting the transistor parameters is the interface inhomogeneity that appears during the conta formation and leads to the contact nonuniformity. One of the ways to remove this contact nonuniformity lies in their exposition low doses of 60Co -/-irradiation. We have studied the effect of /-radiation on the characteristics of MESFETs on a wafer, as well as the changes in contacdue to 60Co y-irradiation in the 103 to 9-108 Gy dose range. It was shown that for MESFETs exposed to /-irradiation doses fro 5-104 to 5-106 Gy some improvement of parameters is observed, namely, both I-V curve slope and saturation current increase. This is related to the structural-impurity ordering in contacts. When the doses of /-irradiation are over 106 Gy, then a degradation of static I-V curves occurs. This is related appearance of the radiation-induced defects in GaAs that leads to changes in both concentration and mobility of the major charge carriers. |
| URI документа: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/204336 |
| ISBN: | 985-445-236-0 |
| Располагается в коллекциях: | 1999. Взаимодействие излучений с твердым телом |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 116-118.pdf | 373,67 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.