Logo BSU

Please use this identifier to cite or link to this item: http://elib.bsu.by/handle/123456789/204336
Title: Радиационное дефектообразование в арсенидгаллиевых полевых транзисторах c барьером Шоттки
Other Titles: Radiation - induced defect production in GaAs mesfets / R. V. Konakova, V. V. Milenin, E. A. Soloviev, V. A. Statov , M. A. Stovpovoi, A. E. Rengevich
Authors: Конакова, Р. В.
Миленин, В. В.
Соловьев, Е. А.
Статов, В. А.
Стовповой, М. А.
Ренгевич, А. Е.
Keywords: ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
Issue Date: 1999
Publisher: Минск : БГУ
Citation: Взаимодействие излучений с твердым телом: Материалы III междунар. науч. конф., 6-8 окт. 1999 г., Минск: В 2 ч. Ч.1. — Мн.: БГУ, 1999. — С. 116-118.
Abstract: Рассмотрено влияние у-радиации в диапазоне доз 105 - 9108 P на статические вольтамперные характеристики арсвнидгаллиевых полевых транзисторов с затвором Шоттки (ПТШ). Показано, что улучшение BAX ПТШ обусловлено механизмом структурно-примесного упорядочения на границе раздела фаз омического и барьерного контактов с арсенидомнидгаллиевых полевых транзисторов с затвором Шоттки (ПТШ). Показано, что улучшение BAX ПТШ обусловлено механизмом структурно-примесного упорядочения на границе раздела фаз омического и барьерного контактов с арсенидом галлия. Деградация статических BAX транзисторов при дозах у-радиации, превышающих 105 P связана с радиационным дефектообразованием в GaAs.
Abstract (in another language): An essential factor affecting the transistor parameters is the interface inhomogeneity that appears during the conta formation and leads to the contact nonuniformity. One of the ways to remove this contact nonuniformity lies in their exposition low doses of 60Co -/-irradiation. We have studied the effect of /-radiation on the characteristics of MESFETs on a wafer, as well as the changes in contacdue to 60Co y-irradiation in the 103 to 9-108 Gy dose range. It was shown that for MESFETs exposed to /-irradiation doses fro 5-104 to 5-106 Gy some improvement of parameters is observed, namely, both I-V curve slope and saturation current increase. This is related to the structural-impurity ordering in contacts. When the doses of /-irradiation are over 106 Gy, then a degradation of static I-V curves occurs. This is related appearance of the radiation-induced defects in GaAs that leads to changes in both concentration and mobility of the major charge carriers.
URI: http://elib.bsu.by/handle/123456789/204336
ISBN: 985-445-236-0
Appears in Collections:1999. Взаимодействие излучений с твердым телом

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
116-118.pdf373,67 kBAdobe PDFView/Open


PlumX

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.