Logo BSU

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: http://elib.bsu.by/handle/123456789/20426
Заглавие документа: Controlling Boron Diffusion during Rapid Thermal Annealing with CoImplantation by Amphoteric Impurity Atoms
Авторы: Makarevich, Yu. V.
Komarov, F. F.
Komarov, A. F.
Mironov, A. M.
Zayats, G. M.
Miskevich, S. A.
Тема: физика и астрономия
Дата публикации: 2012
Библиографическое описание источника: Bulletin of the Russian Academy of Sciences. Physics. - 2012. - № 5. - Pp. 574–576.
Аннотация: A model for simulating the rapid thermal annealing of silicon structures implanted with boron and carbon is developed. The model provides a fair approximation of the process of boron diffusion in silicon, allowing for such effects as the electric field, the impact of the implanted carbon, and the clustering of boron. The migration process of interstitials is described according to their drift in the field of internal elastic stress.
URI документа: http://elib.bsu.by/handle/123456789/20426
ISSN: 1062-8738
Располагается в коллекциях:Статьи сотрудников НИИ ПФП

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
BRAS574.pdf258,07 kBAdobe PDFОткрыть


Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.