Logo BSU

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: http://elib.bsu.by/handle/123456789/20405
Заглавие документа: Ion Beam Synthesis of InAs Nanocrystals in Crystalline Silicon
Авторы: Komarov, F. F.
Mil’chanin, O. V.
Vlasukova, L. A.
Wesch, V.
Komarov, A. F.
Mudryi, A. V.
Тема: физика и астрономия
Дата публикации: 2010
Библиографическое описание источника: Bulletin of the Russian Academy of Sciences: Physics. - 2010. - № 2. - 252-255.
Аннотация: The formation of nanodimensional InAs crystallites on Si wafers was studied by the method of high fluence implantation of As and In ions with subsequent high temperature treatment. It was found that the size and depth distributions of the crystallites depend on both the implantation temperature and the annealing conditions. A broad band in an energy range of 0.75–1.1 eV was recorded in the photolumines cence spectra of the samples.
URI документа: http://elib.bsu.by/handle/123456789/20405
ISSN: 1062-8738
Располагается в коллекциях:Статьи сотрудников НИИ ПФП

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
BRAS252.pdf258,02 kBAdobe PDFОткрыть


Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.