Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/203920
Полная запись метаданных
Поле DC | Значение | Язык |
---|---|---|
dc.contributor.author | Блумс, Ю. | - |
dc.contributor.author | Гацкевич, Е. И. | - |
dc.contributor.author | Ивлев, Г. Д. | - |
dc.date.accessioned | 2018-08-22T09:36:55Z | - |
dc.date.available | 2018-08-22T09:36:55Z | - |
dc.date.issued | 2001 | - |
dc.identifier.citation | Взаимодействие излучений с твердым телом: материалы IV Междунар. науч. конф., 3-5 окт. 2001 г., Минск. — Мн.: БГУ, 2001. — С. 108-110 | ru |
dc.identifier.isbn | 985-445-236-0 | - |
dc.identifier.uri | http://elib.bsu.by/handle/123456789/203920 | - |
dc.description.abstract | Изучалось воздействие наносекундных импульсов первой и второй гармо излучения Nd:YAG лазера на образцы монокристаллического кремния, легированного примесями разного типа. При превышении порога лазерно-индуцированного поверхностного плавления кремния, легированного бором, наблюдается образование донорных центров и инверсия типа проводимости переплавленного слоя - из р-типа в п-тип. Отсутствие этого эффекта при облучении Si:B на Хі объясняется меньшей скоростью эпитаксиальной кристаллизации, что следуя из результатов численного моделирования лазерно-индуцированных фазовых переходов. | ru |
dc.language.iso | ru | ru |
dc.publisher | Минск : БГУ | ru |
dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | ru |
dc.title | Образование донорных центров в кремнии под действием импульсного лазерного излучения | ru |
dc.title.alternative | Generation of donor centres in si by pulsed laser RADIATION / J.BIums, E.I.Gatskevich, G.D.Ivlev | ru |
dc.type | conference paper | ru |
dc.description.alternative | Monocrystalline silicon wafers with different dopants were irradiated by nanosecond pulses of the first (X=1.06 m) and second (>^=0.53 m) harmonics of Nd:YAG laser radiation. The surface resistance and conduction type of the samples were determined. The laser-induced liquid-solid phase transitions in Si were studied by means of computer simulation on the basis of numerical solution of one-dimensional heat conductivity equation (Stephan problem). The study carried out shows the possibility of laser induced donor centres formation and inversion of conduction type of boron doped silicon. | ru |
Располагается в коллекциях: | 2001. Взаимодействие излучений с твердым телом |
Полный текст документа:
Файл | Описание | Размер | Формат | |
---|---|---|---|---|
108-110.pdf | 726,8 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.