Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/191287| Заглавие документа: | Исследование спиновых светоизлучающих диодов на основе структур InGaAs/GaAs с инжектором InFeSb |
| Авторы: | Ведь, М. В. Дорохин, М. В. Лесников, В. П. Дёмина, П. Б. Здоровейщев, A. B. Данилов, Ю. А. Кудрин, A. B. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика ЭБ БГУ::ТЕХНИЧЕСКИЕ И ПРИКЛАДНЫЕ НАУКИ. ОТРАСЛИ ЭКОНОМИКИ::Электроника. Радиотехника |
| Дата публикации: | 2017 |
| Издатель: | Минск : РИВШ |
| Библиографическое описание источника: | Квантовая электроника : материалы XI Междунар. науч.-техн. конф., Минск, 13–17 нояб. 2017 г. / редкол.: М. М. Кугейко (отв. ред.) [и др.]. – Минск : РИВШ, 2017. – С. 91-92. |
| URI документа: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/191287 |
| ISBN: | 978-985-585-091-5 |
| Финансовая поддержка: | Работа выполнена в рамках реализации государственного задания Минобрнауки России (проект № 8.1751.2017/ПЧ), при поддержке РФФИ (гранты №15-02-07824_а, 16-07-01102_а), гранта президента Российской Федерации (МК-8221.2016.2) |
| Располагается в коллекциях: | 2017. Квантовая электроника |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.