Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/187530
Полная запись метаданных
Поле DC | Значение | Язык |
---|---|---|
dc.contributor.author | Tivanov, M. S. | - |
dc.contributor.author | Kolesov, E. A. | - |
dc.contributor.author | Korolik, O. V. | - |
dc.contributor.author | Saad, A. M. | - |
dc.contributor.author | Komissarov, I. V. | - |
dc.date.accessioned | 2017-12-22T09:51:30Z | - |
dc.date.available | 2017-12-22T09:51:30Z | - |
dc.date.issued | 2018-01 | - |
dc.identifier.citation | Journal of Low Temperature Physics. – 2018. – Volume 190, Issue 1-2 – Pages 20-25. | ru |
dc.identifier.issn | Print 0022-2291 | - |
dc.identifier.issn | Online 1573-7357 | - |
dc.identifier.uri | http://elib.bsu.by/handle/123456789/187530 | - |
dc.description.abstract | Low-temperature Raman studies of supported graphene are presented. Linear temperature dependence of 2D peak linewidths was observed with the coefficients of 0.036 and 0.033 cm-1 /K for graphene on copper and glass substrates, respectively, while G peak linewidths remained unchanged throughout the whole temperature range. The different values observed for graphene on glass and copper substrates were explained in terms of the substrate effect on phonon-phonon and electron-phonon interaction properties of the material. The results of the present study can be used to consider substrate effects on phonon transport in graphene for nanoelectronic device engineering | ru |
dc.language.iso | en | ru |
dc.publisher | Springer Science+Business Media | ru |
dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | ru |
dc.title | Effect of the Substrate on Phonon Properties of Graphene Estimated by Raman Spectroscopy | ru |
dc.type | article | ru |
Располагается в коллекциях: | Кафедра физики твердого тела и нанотехнологий (статьи) |
Полный текст документа:
Файл | Описание | Размер | Формат | |
---|---|---|---|---|
article_JLTP_pre-print.pdf | 1,12 MB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.