Logo BSU

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: http://elib.bsu.by/handle/123456789/183107
Заглавие документа: Band edge photoluminescence of undoped and doped TlInS2 layered crystals / O.V. Korolik, S.A.D. Kaabi, K. Gulbinas, N.V. Mazanik , N.A. Drozdov , V. Grivickas // Journal of Luminescence. — 2017. — Vol. 187. — P. 507 — 512;
Авторы: Korolik, O. V.
Kaabi, S. A. D.
Gulbinas, K.
Mazanik, A. V.
Drozdov, N. A.
Grivickas, V.
Тема: ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
Дата публикации: окт-2017
Издатель: Elsevier
Библиографическое описание источника: Journal of Luminescence
Аннотация: Intrinsic photoluminescence (PL) of undoped and of B-, Ag- or Er-doped TlInS2 layered single crystals was investigated by confocal spectroscopy. It is found that position and intensity of PL spectral peak at 2.4 eV is vastly dependent on the excitation light incidence and polarization relative to crystallographic directions. For the normal incidence to the layer plane k||c, a significant Stokes shift between the PL peak in respect to exciton absorption energy is highlighted. The shift increases to 80 meV around the crystal phase transformations region of 200 K. We show that presence of B and Ag impurity do not diminish the intrinsic PL emission while Er atoms incorporation enhances it substantially and modifies a fine excitonic line structure in the ferroelectric phase at low T. The obtained results imply out-of-layer plain oriented 2D excitons in TlInS2 existing at various crystal phases which are influenced by related interlayer stresses
URI документа: http://elib.bsu.by/handle/123456789/183107
ISSN: 0022-2313
Располагается в коллекциях:Статьи сотрудников физического факультета

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
Band edge photoluminescence of undoped and doped TlInS2 layered.pdf1,11 MBAdobe PDFОткрыть


Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.