Спектры фотолюминесценции радиационно-индуцированных дефектов в алмазе

Abstract

Исследованы спектры фотолюминесценции (ФЛ) центра Н19 (бесфононная линия (БФЛ) на 580 нм), образующегося в результате высокотемпературных вакуумных отжигов ионно-имплантированных или облученных быстрыми нейтронами природных и осажденных из газовой фазы (CVD) алмазов. Показано, что формирование центров Н19 имеет пороговый характер от уровня радиационного повреждения (РП) алмаза. Изучено влияние уровня РП, дефектно-примесного состава алмаза, температуры отжига, упругих напряжений, а также длины волны возбуждения на интенсивность и форму спектральной полосы ФЛ центра Н19 = The photoluminescence spectra of the H19 center (zero phonon line (ZPL) at 580 nm), which is formed as a result of high-temperature vacuum annealing of ion-implanted or neutron-irradiated natural and CVD diamonds, are studied. It is shown that the formation of H19 centers has a threshold character from the radiation damage level of diamond. The influence of the radiation damage level, defect-impurity diamond composition, annealing temperature, elastic stresses as well as excitation wavelength on the intensity and shape of the photoluminescence spectral band of the H19 center is studied.