Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/182256
Полная запись метаданных
Поле DC | Значение | Язык |
---|---|---|
dc.contributor.author | Моховиков, М. А. | |
dc.contributor.author | Комаров, Ф. Ф. | |
dc.contributor.author | Мильчанин, О. В. | |
dc.contributor.author | Пархоменко, И. Н. | |
dc.contributor.author | Власукова, Л. А. | |
dc.contributor.author | Wendler, E. | |
dc.date.accessioned | 2017-09-28T07:51:28Z | - |
dc.date.available | 2017-09-28T07:51:28Z | - |
dc.date.issued | 2017 | |
dc.identifier.citation | Взаимодействие излучений с твердым телом = Interaction of Radiation with Solids: материалы 12-й Междунар. конф., Минск, Беларусь, 19—22 сент. 2017 г. / редкол.: В.В. Углов (отв.ред.) [и др.]. — Минск: Изд. центр БГУ, 2017. — С. 345-347. | |
dc.identifier.isbn | 978-985-553-446-5 | |
dc.identifier.uri | http://elib.bsu.by/handle/123456789/182256 | - |
dc.description | Секция 4. Пучковые методы формирования наноматериалов и наноструктур | |
dc.description.abstract | В работе продемонстрирована возможность формирования в слоях SiO2 наноразмерных кластеров ZnSe как сразу после имплантации в «горячих» (550°С) условиях, так и после высокотемпературного отжига (1000ºС, 3 мин в атмосфере аргона). Установлено, что использование «горячих» условий имплантации приводит к формированию мелких (2-15 нм) нанокластеров уже сразу после имплантации ионов цинка и селена. В результате последующей термообработки происходит структурная перестройка и увеличение размеров кластеров (до 80 нм). Методом комбинационного рассеяния света регистрируется полоса при 251-256 см-1, обусловленная рассеянием на продольном оптическом фононе (LO мода) кристаллического ZnSe = We have studied the formation of ZnSe precipitates in silicon dioxide by means of Zn (150 keV, 4·1016 cm−2) and Se (170 keV, 4·1016 cm−2) implantation at 550°C and subsequent annealing at 1000°C for 3 min. From analysis of XTEM images it has been showen that the use of "hot" implantation leads to the formation of small nanoclusters with sizes from 2 to 15 nm. Subsequent annealing results in the redistribution of nanoclusters within the implanted layer and the formation of large crystallites (up to 80 nm). The band at 251-256 cm-1 associated with LO phonons of crystal ZnSe was registered in Raman spectra | |
dc.language.iso | ru | |
dc.publisher | Минск: Изд. центр БГУ | |
dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | |
dc.title | Влияние «горячих» условий имплантации и высокотемпературного отжига на процессы формирования нанокластеров ZnSe в слоях SiO2 | |
dc.title.alternative | Formation of ZnSe nanoclusters in SiO2 layers by high-fluence ion implantation with subsequent annealing / Maksim Makhavikou, Fadei Komarov, Oleg Milchanin, Irina Parhomenko, Liudmila Vlasukova, Elke Wendler | |
dc.type | conference paper | |
Располагается в коллекциях: | 2017. Взаимодействие излучений с твердым телом = Interaction of Radiation with Solids |
Полный текст документа:
Файл | Описание | Размер | Формат | |
---|---|---|---|---|
345-347.pdf | 839,75 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.