Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/181952
Заглавие документа: | Генерационно-рекомбинационные процессы в полупроводниках |
Авторы: | Горбачук, Николай Иванович |
Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
Дата публикации: | 2017 |
Аннотация: | В курсе рассматриваются основные понятия физики неравновесных процессов в полупроводниках, механизмы генерации и рекомбинации, диффузии и дрейфа неравновесных носителей заряда. Анализируются спектральные зависимости поглощения оптического излучения и фотопроводимости. Изучаются фотоэлектрические явления в полупроводниках и полупроводниковых структурах. Рассматривается влияние процессов захвата и рекомбинации на пространственное распределение неравновесных носителей заряда, диффузию и дрейф в стационарных и нестационарных состояниях. |
URI документа: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/181952 |
Располагается в коллекциях: | Кафедра физики полупроводников и наноэлектроники |
Полный текст документа:
Файл | Описание | Размер | Формат | |
---|---|---|---|---|
Горбачук_2017-УП_Генерационно рекомбинационные процессы.pdf | 330 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.