Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/178734| Заглавие документа: | Исследование начальных стадий роста пленок Si1-хGeх в горизонтальном реакторе пониженного давления |
| Авторы: | Наливайко, О. Ю. Турцевич, А. С. Лепешкевич, Г. В. Жигулин, Д. В. Наливайко, В. О. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2017 |
| Библиографическое описание источника: | Прикладные проблемы оптики, информатики, радиофизики и физики конденсированного состояния : материалы четвертой Междунар. науч.-практ. конф., Минск, 11–12 мая 2017 г. / М-во образования Респ. Беларусь, НИУ «Ин-т приклад. физ. проблем им. А. Н. Севченко» Белорус. гос. ун-та; редкол.: В. И. Попечиц (гл. ред.), Ю. И. Дудчик, Г. А. Сенкевич. – Минск, 2017. – С. 276-278. |
| Аннотация: | Исследованы закономерности начальных стадий роста пленок Si1-xGex в горизонтальном реакторе пониженного давления в диапазоне температур 470-570 С |
| Доп. сведения: | Секция 4. Прикладные проблемы физики конденсированного состояния |
| URI документа: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/178734 |
| Располагается в коллекциях: | 2017. Прикладные проблемы оптики, информатики, радиофизики и физики конденсированного состояния |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 276-278.pdf | 524,32 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.