Please use this identifier to cite or link to this item:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/178732| Title: | Формирование нанокластеров ZnSe и ZnS в слоях SiO2 с использованием режима «горячей» имплантации примеси |
| Authors: | Моховиков, М. А. Комаров, Ф. Ф. Мильчанин, О. В. Власукова, Л. А. Пархоменко, И. Н. Wendler, E. |
| Keywords: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Issue Date: | 2017 |
| Citation: | Прикладные проблемы оптики, информатики, радиофизики и физики конденсированного состояния : материалы четвертой Междунар. науч.-практ. конф., Минск, 11–12 мая 2017 г. / М-во образования Респ. Беларусь, НИУ «Ин-т приклад. физ. проблем им. А. Н. Севченко» Белорус. гос. ун-та; редкол.: В. И. Попечиц (гл. ред.), Ю. И. Дудчик, Г. А. Сенкевич. – Минск, 2017. – С. 273-275. |
| Abstract: | В работе продемонстрирована возможность формирования в слоях SiO2 наноразмерных кластеров ZnSe и ZnS. Использовались «горячие» (550С) условия имплантации ионов Zn, Se и S c последующей высокотемпературной обработкой (900С). Установлено, что после «горячей» имплантации примесей происходит формирование фаз прямозонных полупроводников ZnSe и ZnS в виде наноразмерных (2-15 нм) выделений. Последующая термообработка приводит к существенной перестройке структуры кластеров в имплантированных слоях диоксида кремния - наряду с мелкими выделениями в приповерхностной области наблюдается и формирование крупных кристаллитов (до 50-60 нм) в области максимальных концентраций примесей |
| Description: | Секция 4. Прикладные проблемы физики конденсированного состояния |
| URI: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/178732 |
| Appears in Collections: | 2017. Прикладные проблемы оптики, информатики, радиофизики и физики конденсированного состояния |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| 273-275.pdf | 516,13 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.