Logo BSU

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: http://elib.bsu.by/handle/123456789/178413
Заглавие документа: Исследовать электрофизические и структурные свойства водородосодержащих доноров в кристаллах кремния, германия и их сплавах : отчет о научно-исследовательской работе (заключительный) / БГУ ; научный руководитель Ю. М. Покотило
Авторы: Покотило, Ю. М.
Смирнова, О. Ю.
Литвинов, В. В.
Петух, А. Н.
Клищенко, А. П.
Стельмах, Г. Ф.
Гиро, А. В.
Антонович, В. К.
Суходольская, Л. И.
Свекла, А. Р.
Дышлевич, Ю. А.
Тема: ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
Дата публикации: 2013
Издатель: Минск : БГУ
Аннотация: Объектом исследования являются электрофизические свойства и условия формирования мелких водородных доноров в кристаллах германия, кремния, твердых растворах SiGe и GeSi, механизмы модификации свойств кристаллов кремния и сплавов при ионно-радиационных воздействиях. Цель работы – получение новые сведений о структурных и электрофизических свойствах, радиационно-технологических режимах формирования Н-доноров Основными методами исследований являются: измерения вольт-фарадных характеристик, нестационарная спектроскопия глубоких уровней (DLTS), спектроскопия комбинационного рассеяния света и ИК-поглощения. В процессе работы использовались приборы: Спектрометр DLTS C-V-профилометр ИК-спектрометр IR75 В результате проведенной работы показана возможность создания низкоомных n+-слоев в кристаллах кремния, германия и их сплавах, содержащих водородные доноры. Определено влияние радиационных дефектов, примеси кремния и германия в сплавах на формирование H-доноров. Установлена степень деформации решетки германия в твердом растворе германий-кремний. Показано, что высоту потенциального барьера промышленных (Al-Ni-Mo-Si) диодов Шоттки можно регулировать путем формирования водородосодержащих доноров в приконтактной базовой области. Использование разработанных научно-технологических принципов формирования водородосодержащих доноров в кремнии, германии и их твердых растворах при помощи протонной имплантации позволяет создать новые методики управления электрофизическими характеристиками полупроводниковых приборов.
URI документа: http://elib.bsu.by/handle/123456789/178413
Регистрационный номер: № гос. регистрации 20112594
Располагается в коллекциях:Отчеты 2013

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
отчет Покотило 20112594.doc2,63 MBMicrosoft WordОткрыть


Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.