Исследовать электрофизические и структурные свойства водородосодержащих доноров в кристаллах кремния, германия и их сплавах : отчет о научно-исследовательской работе (заключительный) / БГУ ; научный руководитель Ю. М. Покотило

Abstract

Объектом исследования являются электрофизические свойства и условия формирования мелких водородных доноров в кристаллах германия, кремния, твердых растворах SiGe и GeSi, механизмы модификации свойств кристаллов кремния и сплавов при ионно-радиационных воздействиях. Цель работы – получение новые сведений о структурных и электрофизических свойствах, радиационно-технологических режимах формирования Н-доноров Основными методами исследований являются: измерения вольт-фарадных характеристик, нестационарная спектроскопия глубоких уровней (DLTS), спектроскопия комбинационного рассеяния света и ИК-поглощения. В процессе работы использовались приборы: Спектрометр DLTS C-V-профилометр ИК-спектрометр IR75 В результате проведенной работы показана возможность создания низкоомных n+-слоев в кристаллах кремния, германия и их сплавах, содержащих водородные доноры. Определено влияние радиационных дефектов, примеси кремния и германия в сплавах на формирование H-доноров. Установлена степень деформации решетки германия в твердом растворе германий-кремний. Показано, что высоту потенциального барьера промышленных (Al-Ni-Mo-Si) диодов Шоттки можно регулировать путем формирования водородосодержащих доноров в приконтактной базовой области. Использование разработанных научно-технологических принципов формирования водородосодержащих доноров в кремнии, германии и их твердых растворах при помощи протонной имплантации позволяет создать новые методики управления электрофизическими характеристиками полупроводниковых приборов.