Please use this identifier to cite or link to this item:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/173710| Title: | Электрополевое индуцирование локального СТМ-контраста на поверхностях кремния с тонкими слоями оксида |
| Authors: | Юхневич, А. В. Лосик, О. П. Кузнецов, В. Л. Паненко, А. В. |
| Keywords: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Химия |
| Issue Date: | 2001 |
| Publisher: | Москва : Наука |
| Citation: | Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2001. - № 8. - С. 95-99. |
| Abstract: | Приведены результаты СТМ-исследования эффекта локального электрополевого изменения туннельно-токового контраста поверхностей (111) и (001) Si, покрытых туннельно-прозрачным слоем термического оксида кремния. Выделены технологические режимы формирования поверхностей, на которых возможно реверсивное индуцирование контраста, определены условия наблюдения данного эффекта. Установлено, что электрополевое реверсирование контраста обусловлено смепдением ионов водорода (протонов) в слое оксида под влиянием электрического поля зонда СТМ в период действия индуцирующих импульсов напряжения. Предлагается рассматривать исследованные поверхности как перспективные варианты запоминающих поверхностей для зондовых запоминающих устройств |
| URI: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/173710 |
| ISSN: | 0207-3528 |
| Appears in Collections: | Статьи сотрудников НИИ ФХП |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.