Влияние постоянного магнитного поля на рост пленок пористого анодного оксида алюминия в водном растворе серной кислоты

Abstract

Изучено влияние постоянного магнитного поля на скорость роста и морфологию поверхности пленок анодного оксида алюминия, полученных в водном растворе серной кислоты. Тонкие пленки алюминия толщиной около 100 нм получали термическим испарением в вакууме на кремниевых подложках, покрытых пленкой диоксида кремния. Показано, что наличие постоянного магнитного поля с индукцией 0,7 Тл при анодировании пленки алюминия приводит к уменьшению скорости роста пленки пористого оксида на 33 %, диаметра пор на 1,5 нм, расстояния между центрами пор на 6,3 нм и диаметра ячейки на 7,3 нм. На основании данных, полученных в работе, а также предыдущих исследований о локализации отрицательного объемного заряда и термически активированных ловушках в анодном оксиде алюминия установлено, что по величине постоянного магнитного поля, требуемого для изменения диаметра ячейки и пор в пленках нанопористого оксида алюминия, можно судить о глубине залегания локализованных электронных состояний = The effects induced by an external continuous magnetic field on the rate of growth and morphology of anodic alumina on aluminum film in sulfuric acid aqueous solution were studied. Aluminum films of 100 nm thickness were prepared by thermal evaporation on SiO2/Si substrate. The application of magnetic field of 0.7 T diminishes the rate of alumina film growth by 33 %, the diameter of pores in alumina films by 1.5 nm, the interpore distance by 6.3 nm, and cell diameter by 7.3 nm. On the basis of data obtained in this study and of previous investigations on the negative space location and thermally activated defects in anodic alumina, we concluded that the intensity of magnetic field is associated with the energy of electron traps.